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PMBD6050,235	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 70V 215MA TO236AB	ETC	ETC
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REF6050IDGKR	文件：2.35155 Mbytes Page：37 Pages	High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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RU6050L	文件：1.43637 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RU6050R	文件：979.51 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RU6050R	文件：292.36 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
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产品属性

产品编号：
PMBD6050,235
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
215mA
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
1.5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
工作温度 - 结：
150°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 70V 215MA TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PMBD6050,235供应商更新时间2025-7-29 16:32:00

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