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PM75CSE120	文件：131.91 Kbytes Page：6 Pages	FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE FEATURE a) Adopting new 4th generation planar IGBT chip, which performance is improved by 1µm fine rule process. b) Using new Diode which is designed to get soft reverse recovery characteristics. • 3φ 75A, 1200V Current-sense IGBT for 15kHz switching • Monolithic gate drive & protection lo 文件：131.91 Kbytes 页数：6 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
PM75CSE120	文件：130.05 Kbytes Page：8 Pages	FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE 文件：130.05 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
PM75CSE120	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power Modules-IPMs(Intelligent Power Modules) SDASH series PM75CSE120	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
PM75CSE120_05	文件：130.05 Kbytes Page：8 Pages	FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE 文件：130.05 Kbytes 页数：8 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi

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