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PM600DSA060_00	文件：66.66 Kbytes Page：6 Pages	INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE 文件：66.66 Kbytes 页数：6 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
PM600DV1A060	文件：418.58 Kbytes Page：10 Pages	FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE 文件：418.58 Kbytes 页数：10 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
PM600DV1A060	文件：482.37 Kbytes Page：6 Pages	Single Phase IGBT Inverter Output 600 Amperes/600 Volts 文件：482.37 Kbytes 页数：6 Pages	POWEREX	POWEREX
PM600HSA120	文件：55.97 Kbytes Page：4 Pages	INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE 文件：55.97 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
PM600HSA120_00	文件：55.97 Kbytes Page：4 Pages	INTELLIGENT POWER MODULES FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE 文件：55.97 Kbytes 页数：4 Pages	Mitsubishi 三菱电机	Mitsubishi
PM606BA	文件：249.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：249.82 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PM606BA	文件：1.02643 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02643 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PM606BA	文件：493.07 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：493.07 Kbytes 页数：5 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PM600CL1A060	文件：300 bytes Page：1 Pages	第5代L1系列IPM ·采用全栅型 CSTBTTM硅片实现低损耗\n·IGBT硅片正中央处集成温度传感器，过温保护更精确(145℃)\n·新的结线技术使功率循环能力得到显著提高\n·主端子有针脚型和螺丝型两种形式\n·与第5代L系列IPM兼容\n·新增S型七合一封装(90mm50mm)\n·完全无铅焊接(对应RoHS指令);	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
PM600BZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Unikc 旭康微	Unikc

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技术参数

Package：
SOT-23
Configuration：
Single
Type：
N
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
30
VGS (±V)：
20
ID (A)：
6
RDS(ON)mΩmax at 10V：
13.5
RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
17.5
VGS(th) max：
2.5
Typical Ciss(pF)：
609
Typical Coss(pF)：
114
Typical Crss(pF)：
70
Typical Qg(nC)：
12.4
Typical Qgd(nC）：
3.1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市联世界科技有限公司	PM6064	VALOR	24+/25+		49	原装正品现货库存价优	询价
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深圳市星佑电子有限公司	PM6022	VN	05+	原厂原装	71	只做全新原装真实现货供应	询价
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深圳市卓越微芯电子有限公司	PM6000	QUALCOM	25+	QFN	1998	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

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