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PM505	文件：65.97 Kbytes Page：3 Pages	Single, dual and triple output 1 to 10.5 Watt AC/DC encapsulated modules 文件：65.97 Kbytes 页数：3 Pages	ARTESYN	ARTESYN
PM50502C	文件：291.4 Kbytes Page：5 Pages	SILICON N-CHANNEL POWER MOS FET MODULE HIGH SPEED POWER SWITCHING Features • Equipped with Power MOS FET • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • Wide area of safe operation • Inherent parallel diode between source and drain • Isolated base from Terminal • Suitable for motor driver, switching regulator and etc. Application Hi 文件：291.4 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
PM505BA	文件：192.76 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：192.76 Kbytes 页数：4 Pages	SGMICRO 圣邦股份	SGMICRO
PM505BA	文件：194.44 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：194.44 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PM505BA	文件：758.26 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：758.26 Kbytes 页数：8 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PM505CE	文件：46.83 Kbytes Page：2 Pages	Single, dual and triple output 1 to 10.5 Watt AC/DC encapsulated modules 文件：46.83 Kbytes 页数：2 Pages	ARTESYN	ARTESYN
PM505D	文件：65.97 Kbytes Page：3 Pages	Single, dual and triple output 1 to 10.5 Watt AC/DC encapsulated modules 文件：65.97 Kbytes 页数：3 Pages	ARTESYN	ARTESYN
PM50502C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel Power MOS FET Module • Equipped with Power MOS FET\n• Low on-resistance\n• High speed switching\n• Low drive current\n• Wide area of safe operation\n• Inherent parallel diode between source and drain\n• Isolated base from Terminal\n• Suitable for motor driver, switching regulator and etc.Application\n High Speed Power;	HITACHI 日立	HITACHI
PM505BA	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Unikc 旭康微	Unikc
PM505BA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	NIKO-SEM 尼克森	NIKO-SEM

技术参数

Package：
SOT-23(S)
Configuration：
Single
Type：
P
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
8
ID (A)：
-4
RDS(ON)mΩmax at 10V：
/
RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
40
RDS(ON)mΩmax at 2.5V：
55
RDS(ON)mΩmax at 1.8V：
71
VGS(th) max：
-1
Typical Ciss(pF)：
1157
Typical Coss(pF)：
106
Typical Crss(pF)：
76
Typical Qg(nC)：
11.9
Typical Qgd(nC)：
2.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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