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CWT722-S	文件：732.13 Kbytes Page：18 Pages	surface-mountLED	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
CWT722-T	文件：732.3 Kbytes Page：18 Pages	surface-mountLED	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
DG722	文件：207.31 Kbytes Page：10 Pages	1.8Vto5.5V,4ohmDualSPSTSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG722	文件：194.64 Kbytes Page：10 Pages	1.8Vto5.5V,4??DualSPSTSwitches FEATURES •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 definition •1.8Vto5.5Vsinglepowersupply •Lowandflatswitchonresistance,2.5/typ. •Lowleakageandparasiticcapacitance •366MHz,-3dBbandwidth •Latch-upcurrent>300mA(JESD78) •Spacesavingpackages 2mmx2mm	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DRA722	文件：5.28605 Mbytes Page：408 Pages	InfotainmentApplicationsProcessor	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
DRA722	文件：5.32637 Mbytes Page：409 Pages	InfotainmentApplicationsProcessorSiliconRevision2.0	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
FMMT722	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT722	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-12V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. •RCE(sat)=72mΩat2.5Aforalowequivalenton-resistance •625mWpowerdissipation •hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FMMT722	文件：37.87 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistor Features ●625mWpowerdissipation. ●ICCONT2.5A. ●ICupto10Apeakpulsecurrent. ●Excellenthfecharacteristicsupto10A(pulsed). ●Extremelylowsaturationvoltagee.g.10mVtyp.. ●Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat).	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT722	文件：355.42 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT722TA	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
HE722	文件：102.34 Kbytes Page：1 Pages	DualOutputVCO	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HEm722	文件：102.34 Kbytes Page：1 Pages	DualOutputVCO	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HM722	文件：2.40679 Mbytes Page：13 Pages	12MHz,HighSlewRate,RRIOCMOSOperationalAmplifiers	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HPC722	文件：42.24 Kbytes Page：1 Pages	PHOTOCOUPLERS FEATURES: •LargeCurrentTransferRatio •IsolationVoltageBetweenInputandOutput •HPC522/532/542Viso=2500Vrms(Min.) •HPC722/732/742Viso=4000Vrms(Min.) •HPC922/932/942Viso=5000Vrms(Min.) •PlasticDIPPackage •ULFile#E178703 USES: •Transmissionandconvers	AZDISPLAYS AZ Displays	AZDISPLAYS
HYT722	文件：572.25 Kbytes Page：13 Pages	TOPLEDDEVICE	SEOUL Seoul Semiconductor Co., Ltd.	SEOUL
ICS722	文件：129.68 Kbytes Page：6 Pages	LOWCOST27MHZ3.3VOLTVCXO	ICSTChina Resources Microelectronics Limited Limited 华润微电子华润微电子有限公司	ICST
ICS722M	文件：129.68 Kbytes Page：6 Pages	LOWCOST27MHZ3.3VOLTVCXO	ICSTChina Resources Microelectronics Limited Limited 华润微电子华润微电子有限公司	ICST
ICS722MLF	文件：129.68 Kbytes Page：6 Pages	LOWCOST27MHZ3.3VOLTVCXO	ICSTChina Resources Microelectronics Limited Limited 华润微电子华润微电子有限公司	ICST
ICS722MLFT	文件：129.68 Kbytes Page：6 Pages	LOWCOST27MHZ3.3VOLTVCXO	ICSTChina Resources Microelectronics Limited Limited 华润微电子华润微电子有限公司	ICST

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详细参数

型号：
PM-H722HC
功能描述：
0-5Vdc Current transducer

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
万三科技(深圳)有限公司	PMH75CL1A120	三菱	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
深圳市科雨电子有限公司	PMH75CS1E120	MITSUBISHI/三菱	18+	MODULE	45	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	PMH8318LP	ERICSSO		AN	485000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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