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TPCF8304

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TPCF8304

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSIV)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=60mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.9S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementmodel:Vth=−0.8to−2.0V,(VDS=−10V,ID=−1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

产品属性

  • 产品编号:

    PL8304T

  • 制造商:

    iNRCORE, LLC

  • 类别:

    电感器,线圈,扼流圈 > 固定电感器

  • 系列:

    HCCI-80

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    环形

  • 屏蔽:

    无屏蔽

  • DC 电阻 (DCR):

    5.1 毫欧最大

  • 工作温度:

    -55°C ~ 130°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    非标准

  • 大小 / 尺寸:

    1.220" 长 x 1.000" 宽(30.99mm x 25.40mm)

  • 高度 - 安装(最大值):

    0.500"(12.70mm)

  • 描述:

    FIXED IND 8.4UH 19A 5.1 MOHM SMD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多PL8304T供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00