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PL8201NLT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：水平式，4 PC 板；包装：卷带（TR）类别：滤波器共模扼流圈描述：CMC 11.6A 2LN SMD	iNRCORE, LLC	iNRCORE, LLC
S8201	文件：37.23 Kbytes Page：2 Pages	SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances, re 文件：37.23 Kbytes 页数：2 Pages	POLYFET	POLYFET
TA8201	文件：488.37 Kbytes Page：11 Pages	18W BTL x 2CH AUDIO POWER AMPLIFIER 文件：488.37 Kbytes 页数：11 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TA8201AK	文件：413.12 Kbytes Page：8 Pages	BTL AUDIO POWER AMPLIFIER 文件：413.12 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
PL8201NLT
制造商：
iNRCORE, LLC
类别：
滤波器 > 共模扼流圈
系列：
SLIC
包装：
卷带（TR）
滤波器类型：
电源线
线路数：
2
额定电流（最大）：
11.6A
DC 电阻 (DCR)（最大值）：
10 毫欧
工作温度：
-55°C ~ 130°C
安装类型：
表面贴装型
大小 / 尺寸：
1.220" 长 x 1.000" 宽（30.99mm x 25.40mm）
高度（最大值）：
0.500"（12.70mm）
封装/外壳：
水平式，4 PC 板
描述：
CMC 11.6A 2LN SMD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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