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TPC8122	文件：269.5 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS?? LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=6.3mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=30S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementm	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TZ-8122	文件：1.10272 Mbytes Page：2 Pages	TZ-8Limitswitch	GREEGOO GREEGOO Electric Co.,Ltd	GREEGOO
UTC8122	文件：96.26 Kbytes Page：5 Pages	LINERINTERFRATEDCIRCUIT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
VSC8122	文件：346.49 Kbytes Page：14 Pages	Multi-RateSONET/SDHClockandDataRecoveryIC GeneralDescription TheVSC8122isasingle-chipclockrecoveryICforuseinSONETOC-48,OC-24,OC-12,OC-3,orGiga-bitEthernetsystemsoperatingattheirrespective2.48832Gb/s,1.24416Gb/s,622.08Mbps,155.52Mbps,or1.25Gbpsdatarates.TheVSC8122complieswithSONETjittertolerance,jit	VITESSE Vitesse Semiconductor Corporation	VITESSE
VSC8122QP	文件：346.49 Kbytes Page：14 Pages	Multi-RateSONET/SDHClockandDataRecoveryIC GeneralDescription TheVSC8122isasingle-chipclockrecoveryICforuseinSONETOC-48,OC-24,OC-12,OC-3,orGiga-bitEthernetsystemsoperatingattheirrespective2.48832Gb/s,1.24416Gb/s,622.08Mbps,155.52Mbps,or1.25Gbpsdatarates.TheVSC8122complieswithSONETjittertolerance,jit	VITESSE Vitesse Semiconductor Corporation	VITESSE
WAP-8122	文件：537.97 Kbytes Page：4 Pages	DualBandPoEWirelessAccessPoint	LVL1 Level One	LVL1
YQS8122	文件：109.42 Kbytes Page：2 Pages	ThermometricsPTCThermistors	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
YX8122	文件：1.31372 Mbytes Page：1 Pages	LED	SHININGICShanghai Yuxin Electronic Technology Co., Ltd 裕芯电子上海裕芯电子科技有限公司	SHININGIC

产品属性

产品编号：
PL8122T
制造商：
iNRCORE, LLC
类别：
电感器，线圈，扼流圈 > 固定电感器
系列：
SLED
包装：
卷带（TR）
类型：
环形
屏蔽：
无屏蔽
DC 电阻 (DCR)：
72 毫欧最大
工作温度：
-55°C ~ 130°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
非标准
大小 / 尺寸：
0.725" 长 x 0.575" 宽（18.42mm x 14.61mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.410"（10.41mm）
描述：
FIXED IND 21.9UH 2.7A 72MOHM SMD

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