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PK630HY	文件：451.69 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：451.69 Kbytes 页数：7 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PK630HY	文件：1.16546 Mbytes Page：11 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.16546 Mbytes 页数：11 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PK632BA	文件：256.16 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：256.16 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PK632BA	文件：754.92 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：754.92 Kbytes 页数：8 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PK632BA	文件：208.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：208.8 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PK632BA_V01	文件：208.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：208.8 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PK636BA	文件：412.76 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：412.76 Kbytes 页数：5 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PK636BA	文件：417.29 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：417.29 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PK630HY	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Unikc 旭康微	Unikc
PK632BA	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Unikc 旭康微	Unikc

技术参数

Package：
PDFN 5x6
Configuration：
Asymmetric
Type：
N
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
30
VGS (±V)：
20
ID (A)：
40
RDS(ON)mΩmax at 10V：
7.8
RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
11
RDS(ON)mΩmax at 2.5V：
/
RDS(ON)mΩmax at 1.8V：
/
VGS(th) max：
2.3
Typical Ciss(pF)：
853
Typical Coss(pF)：
149
Typical Crss(pF)：
109
Typical Qg(nC)：
18
Typical Qgd(nC)：
4.8

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更多PK63供应商更新时间2026-10-31 10:01:00

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