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PJW	文件：143.65 Kbytes Page：3 Pages	Boite de jonction en polyester de type 4X avec regard 文件：143.65 Kbytes 页数：3 Pages	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
PJW2P10A	文件：429.7 Kbytes Page：8 Pages	100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@-10V,ID@-1.5A 文件：429.7 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJW2P10A_R2_00001	文件：429.7 Kbytes Page：8 Pages	丝印：W2P10A；Package：SOT-223；100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@-10V,ID@-1.5A 文件：429.7 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJW2P10A_V01	文件：429.7 Kbytes Page：8 Pages	100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@-10V,ID@-1.5A 文件：429.7 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJW3N10A	文件：412.05 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@2.2A 文件：412.05 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJW3N10A_R2_00001	文件：412.05 Kbytes Page：8 Pages	丝印：W3N10A；Package：SOT-223；100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@2.2A 文件：412.05 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJW3N10A_V01	文件：412.05 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@2.2A 文件：412.05 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJW3P06A	文件：860.56 Kbytes Page：6 Pages	60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@-10V, ID@-2A 文件：860.56 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJW3P06A_R2_00001	文件：860.56 Kbytes Page：6 Pages	丝印：W3P06A；Package：SOT-223；60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@-10V, ID@-2A 文件：860.56 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJW3P06A-AU	文件：876.1 Kbytes Page：6 Pages	60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON), VGS@-10V, ID@-2A 文件：876.1 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

技术参数

Polarity：
N
Config.：
Single
VDS[V]：
600
VGS[±V]：
30
ID[A]：
0.3
RDS(on) Max. (mΩ)[10V]：
14000
Ciss Typ.[pF]：
95
Qg Typ. (nC)[10V]：
4
Qg Typ. (nC)[4.5V]：
3.3
Package：
SOT-223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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