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PJQ1916	文件：308.04 Kbytes Page：6 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ● Advanced Trench Process Technology ● ESD Protected ● Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc ● Lead free in compliance with EU RoHS 2.0 ● Green molding compound as per IEC 61249 standard Mechanical Data ● Case : DFN1006-3L Package ● Terminals : Solderable per M 文件：308.04 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJQ1916	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (20 - 40V , RDS(ON) < 1Ω)	Panjit 強茂	Panjit
PJQ1916_R1_00201	文件：308.04 Kbytes Page：6 Pages	丝印：G；Package：DFN1006-3L；20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features ● Advanced Trench Process Technology ● ESD Protected ● Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc ● Lead free in compliance with EU RoHS 2.0 ● Green molding compound as per IEC 61249 standard Mechanical Data ● Case : DFN1006-3L Package ● Terminals : Solderable per M 文件：308.04 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
RASC1916	文件：164.63 Kbytes Page：1 Pages	DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTLCE 文件：164.63 Kbytes 页数：1 Pages	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
TA1916A	文件：740.11 Kbytes Page：6 Pages	SAW Filter 898MHz 文件：740.11 Kbytes 页数：6 Pages	TAI-SAW 嘉硕科技	TAI-SAW
TS1916	文件：875.35 Kbytes Page：10 Pages	1.7A Boost WLED Driver 文件：875.35 Kbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

ESD：
Y
Polarity：
N
Config.：
Single
VDS[V]：
20
VGS[±V]：
8
ID[A]：
0.95
RDS(on) Max. (mΩ)[4.5V]：
300
RDS(on) Max. (mΩ)[2.5V]：
400
RDS(on) Max. (mΩ)[1.8V]：
550
RDS(on) Max. (mΩ)[1.5V]：
800
RDS(on) Max. (mΩ)[1.2V]：
1500
Ciss Typ.[pF]：
46
VGS(th) Max.[V]：
1
Qg Typ. (nC)[10V]：
1.1
Package：
DFN1006-3L

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深圳市南科功率半导体有限公司	PJQ1916	NK/南科功率	2025+	DFN1006-3L	986966	国产	询价
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