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PJP4NA60	文件：437.78 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：437.78 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJP4NA60	文件：300 bytes Page：1 Pages	HV MOSFET	Panjit 強茂	Panjit
PJU4NA60	文件：437.78 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：437.78 Kbytes 页数：8 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
STP4NA60	文件：203.7 Kbytes Page：10 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR DESCRIPTION This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell layout coupled with a new proprietary edge termination concur to give the device low RDS(on)and gate charge, unequalled ruggedness and superior switching performance. ■ TYPICAL RDS(o 文件：203.7 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP4NA60	文件：1.09032 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.09032 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Polarity：
N
Config.：
Single
VDS[V]：
600
VGS[±V]：
30
ID[A]：
4
RDS(on) Max. (mΩ)[10V]：
2400
Ciss Typ.[pF]：
450
Qg Typ. (nC)[10V]：
4
Qg Typ. (nC)[4.5V]：
11.1
Package：
TO-220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PJP4NA60供应商更新时间2026-1-23 14:02:00

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