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SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=80nstyp.(atIC= | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
600V-30A-IGBTHighSpeedPowerSwitching Features ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Trenchgateandthinwafertechnology ●Highspeedswitching | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
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