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PJE8407	文件：297.34 Kbytes Page：6 Pages	20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  Low Voltage Drive (1.2V).  Advanced Trench Process Technology  Specially Designed for Load switch, PWM Application,  ESD Protected  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free) 文件：297.34 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJE8407	文件：287.41 Kbytes Page：6 Pages	20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：287.41 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJE8407	文件：300 bytes Page：1 Pages	LV MOSFET	Panjit 強茂	Panjit
PJE8407_R1_00001	文件：297.34 Kbytes Page：6 Pages	丝印：E07；Package：SOT-523；20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  Low Voltage Drive (1.2V).  Advanced Trench Process Technology  Specially Designed for Load switch, PWM Application,  ESD Protected  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free) 文件：297.34 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJE8407_V01	文件：297.34 Kbytes Page：6 Pages	20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  Low Voltage Drive (1.2V).  Advanced Trench Process Technology  Specially Designed for Load switch, PWM Application,  ESD Protected  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive.  Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free) 文件：297.34 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

技术参数

ESD：
Y
Polarity：
P
Config.：
Single
VDS[V]：
-20
VGS[±V]：
10
ID[A]：
-0.5
RDS(on) Max. (mΩ)[4.5V]：
1200
RDS(on) Max. (mΩ)[2.5V]：
1500
RDS(on) Max. (mΩ)[1.8V]：
2200
RDS(on) Max. (mΩ)[1.5V]：
3600
RDS(on) Max. (mΩ)[1.2V]：
6000
Ciss Typ.[pF]：
38
VGS(th) Max.[V]：
-1
Qg Typ. (nC)[4.5V]：
1.4
Package：
SOT-523

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PJE8407供应商更新时间2025-12-7 14:02:00

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