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PJE5V0V1DW	文件：328.57 Kbytes Page：6 Pages	Very Low Capacitance ESD Protection	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
DESD5V0V1BCSP	文件：396.33 Kbytes Page：5 Pages	LOWCAPACITANCEBIDIRECTIONALTVSDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PESD5V0V1BA	文件：417.83 Kbytes Page：4 Pages	Microprocessorbasedequipment Features Bidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)17A(8/20μs) Applications Microprocessorbasedequipment PersonalDigit	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD5V0V1BA	文件：614.59 Kbytes Page：5 Pages	BidirectionalESDprotectionofoneline Features Applications BidirectionalESDprotectionofoneline ESDprotectionupto30kV Verylowdiodecapacitance:Cd=11pF IEC61000-4-2;level4(ESD) Max.peakpulsepower:PPP=45W IEC61000-4-5(surge);IPP=4.8A Lowclampingvoltage:VCL=12.5V AEC-Q101qualified Ultral	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD5V0V1BA	文件：406.96 Kbytes Page：15 Pages	VerylowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiodes 1.1Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesin smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0V1BA	文件：259.93 Kbytes Page：12 Pages	VerylowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaverysmall SOD323(SC-76)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0V1BA-Q	文件：262.45 Kbytes Page：12 Pages	VerylowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription VerylowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaverysmall SOD323(SC-76)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefit	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0V1BA-TP	文件：1.27941 Mbytes Page：4 Pages	Bl-directionalTVSDiode Features Protectsonedataorpowerline Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Ultralowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: ~IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30kV' Contactdischarge:+30kV —IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) RoHSCompliant	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
PESD5V0V1BB	文件：614.59 Kbytes Page：5 Pages	BidirectionalESDprotectionofoneline Features Applications BidirectionalESDprotectionofoneline ESDprotectionupto30kV Verylowdiodecapacitance:Cd=11pF IEC61000-4-2;level4(ESD) Max.peakpulsepower:PPP=45W IEC61000-4-5(surge);IPP=4.8A Lowclampingvoltage:VCL=12.5V AEC-Q101qualified Ultral	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD5V0V1BB	文件：419.08 Kbytes Page：4 Pages	90Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) Features Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent Applications Microprocessorbasedequipment PersonalDigitalAssistants(PDA’s) Notebooks,Desktops,andServers PortableInstrumentation PagersPeripherals 90Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) B	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	PJE5V0V1DW	台产	18PB	SC70-6	1	优势	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	PJE5V0V1DW_R1_00001	PANJIT(强茂)	24+	SOT363	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
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