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PJD55N10A_L2_00001中文资料強茂数据手册PDF规格书

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厂商型号

PJD55N10A_L2_00001

功能描述

100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

D55N10A

封装外壳

TO-252AA

文件大小

630.5 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

PANJIT

中文名称

強茂

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 19:27:00

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PJD55N10A_L2_00001规格书详情

特性 Features

 RDS(ON), VGS@10V, ID@20A<18mΩ

 RDS(ON), VGS@4.5V, ID@15A<20mΩ

 High switching speed

 Improved dv/dt capability

 Low reverse transfer capacitance

 Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

 Green molding compound as per IEC 61249 standard

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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