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PJD55N03_L2_00001中文资料強茂数据手册PDF规格书

PJD55N03_L2_00001
厂商型号

PJD55N03_L2_00001

功能描述

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

D55N03

封装外壳

TO-252AA

文件大小

425.93 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Pan Jit International Inc.
企业简称

PANJIT強茂

中文名称

強茂股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 16:20:00

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PJD55N03_L2_00001规格书详情

Features

 RDS(ON), VGS@10V,ID@16A<9mΩ

 RDS(ON), VGS@4.5V,ID@8A<13mΩ

 High switching speed

 Improved dv/dt capability

 Low Gate Charge

 Low reverse transfer capacitance

 Lead free in compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU &

2015/865/EU directive)

 Green molding compound as per IEC61249 Std..

(Halogen Free)

Mechanical Data

 Case : TO-252AA Package

 Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

 Approx. Weight : 0.0104 ounces, 0.297grams

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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