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PJA65P03	文件：326.39 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJA65P03_R1_00001	文件：326.39 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJA65P03_R2_00001	文件：326.39 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
CED65P03	文件：384.65 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-65A,RDS(ON)=9mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=12mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU65P03	文件：384.65 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-65A,RDS(ON)=9mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=12mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

更多PJA65P03供应商更新时间2025-5-24 14:00:00