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PIMT1中文资料安世数据手册PDF规格书

PIMT1
厂商型号

PIMT1

功能描述

PNP general purpose double transistor

丝印标识

M1

封装外壳

SC-74

文件大小

279.91 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-3 15:10:00

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PIMT1规格书详情

FEATURES

•600 mW total power dissipation

•Low current (max. 100 mA)

•Low voltage (max. 40 V)

•Reduces number of components and required PCB area

•Reduced pick and place costs.

产品属性

  • 型号:

    PIMT1

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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22+
SOT-163
3000
原装正品,支持实单
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22+
SOT163
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进口原装
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