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PI632BZ	文件：365.21 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：365.21 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PI632BZ	文件：417.17 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：417.17 Kbytes 页数：5 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PI632BZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	NIKO-SEM 尼克森	NIKO-SEM
PK632BA	文件：256.16 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：256.16 Kbytes 页数：4 Pages	NIKOSEM 尼克森	NIKOSEM
PK632BA	文件：754.92 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：754.92 Kbytes 页数：8 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PS-632	文件：348.38 Kbytes Page：2 Pages	Rechargeable Sealed Lead Acid Battery PS ??General Purpose Series 文件：348.38 Kbytes 页数：2 Pages	POWER-SONIC Power Sonic Corporation	POWER-SONIC

技术参数

Package：
TO-251
Configuration：
Single
Type：
N
ESD Diode：
No
Schottky Diode：
No
VDS (V)：
30
VGS (±V)：
20
ID (A)：
105
RDS(ON)mΩmax at 10V：
3.7
RDS(ON)mΩmax at 4.5V：
4.8
VGS(th) max：
2.3
Typical Ciss(pF)：
2140
Typical Coss(pF)：
404
Typical Crss(pF)：
237
Typical Qg(nC)：
43
Typical Qgd(nC）：
13

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