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PHX18NQ11T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

PHX18NQ11T
厂商型号

PHX18NQ11T

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件大小

94.73 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-6-26 17:10:00

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PHX18NQ11T规格书详情

Description

N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a fully isolated plastic package using TrenchMOS™ technology.

Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching

■ Isolated mounting base

■ Low thermal resistance

Applications

■ DC-to-DC converters

■ Switched-mode power supplies

产品属性

  • 型号:

    PHX18NQ11T

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH-100

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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