PHT6NQ10T数据手册Nexperia中文资料规格书
PHT6NQ10T规格书详情
描述 Description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
PHT6NQ10T
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
7153 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
3389 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT223 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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恩XP |
22+ |
SC-73 |
25000 |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT223 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
Nexperia |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT223 |
80000 |
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恩XP |
25+ |
SOT223 |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT-223 |
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恩XP |
22+ |
SOT223 |
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