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PHP11N06LT	文件：371.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.13Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP11N06LT	文件：114.92 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. ThePHP11N06LTissuppliedintheSOT78(TO220AB)conventionalleadedpackage. ThePHB11N06LTissuppliedintheSOT404(D2PAK)surfacemountingpa	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHT11N06	文件：75.34 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.ItisintendedforuseinDC	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PJD11N06A	文件：908.72 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@6A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	PHT11N06T	NEXPERIA/安世	2019+	SOT-223	78550	原厂渠道可含税出货	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	PHT11N06T	PHI	24+	SOT223	20000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
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