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PHPT61010PY-Q	文件：281.36 Kbytes Page：14 Pages	丝印：1010PAB；Package：SOT669；100 V, 10 A PNP high power bipolar transistor 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement: PHPT61010NY-Q 2. Features and benefits • High thermal power dissipation capability • Suitable for high temperature applications up to 175 °C • 文件：281.36 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHPT61010PY-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	100 V, 10 A PNP high power bipolar transistor PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package.\n NPN complement: PHPT61010NY-Q	Nexperia 安世	Nexperia
T-61010	文件：27.65 Kbytes Page：1 Pages	Low Profile International Series Power Transformer 文件：27.65 Kbytes 页数：1 Pages	RHOMBUS-IND	RHOMBUS-IND
TPS61010	文件：459.6 Kbytes Page：25 Pages	HIGH-EFFICIENCY, 1-CELL AND 2-CELL BOOST CONVERTERS 文件：459.6 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
TPS61010DGS	文件：1.12285 Mbytes Page：31 Pages	HIGH-EFFICIENCY, 1-CELL AND 2-CELL BOOST CONVERTERS 文件：1.12285 Mbytes 页数：31 Pages	TI 德州仪器	TI

更多PHPT61010PY-Q供应商更新时间2026-1-24 14:16:00