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PHP9NQ20T中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHP9NQ20T

功能描述

N-channel TrenchMOS transistor

文件大小

110.93 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-10-9 23:00:00

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PHP9NQ20T规格书详情

VDSS = 200 V

ID = 8.7 A

RDS(ON) ≤ 400 mΩ

GENERAL DESCRIPTION

N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench technology, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications.

The PHP9NQ20T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package

The PHB9NQ20T is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package

The PHD9NQ20T is supplied in the SOT428 (DPAK) surface mounting package

FEATURES

• ’Trench’ technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

• Low thermal resistance

产品属性

  • 型号:

    PHP9NQ20T

  • 功能描述:

    MOSFET RAIL PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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