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PHP96NQ03LT中文资料N-channel enhancement mode field-effect transistor数据手册恩XP规格书
PHP96NQ03LT规格书详情
描述 Description
N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology.
特性 Features
■ Low gate charge
■ Low on-state resistance.Applications
■ Optimized as a control FET in DC to DC converters.
应用 Application
■ Optimized as a control FET in DC to DC converters.
技术参数
- 型号：
PHP96NQ03LT
- 功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+23+ |
TO-220 |
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PHILPS |
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TO-220 |
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PH |
24+ |
SOT78TO-220AB |
8866 |
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恩XP |
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TO-220-3 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
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TO220 |
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PHI |
2022+ |
TO-220 |
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PHI |
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TO |
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PHI |
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TO-220 |
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PHI |
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SMD |
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