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NP55N04SLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP55N04SLG	文件：299.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP55N04SLG	文件：255.65 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP55N04SLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Channeltemperature175degreerating •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) ⎯RDS(on)2=8.5mΩMAX.(VGS=5V,I	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP55N04SUG	文件：298.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP55N04SUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP55N04SUG	文件：173.54 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP55N04SUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerating •Superlowon-stateresistance RDS(on)=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=28A) •Lowinputcapacitance Ciss=3400pFT	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
PJD55N04S-AU	文件：647.41 Kbytes Page：6 Pages	40VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD55N04V-AU	文件：375.4 Kbytes Page：6 Pages	40VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
PHP55N04LT
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-220AB

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