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PHP29N08T	文件：372.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 27A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 50mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：372.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHP29N08T	文件：680.64 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits H 文件：680.64 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHP29N08T	文件：90.52 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMO standard level FET 文件：90.52 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
PHP29N08T	文件：262.93 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS standard level FET 文件：262.93 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
PHP29N08T	文件：190.82 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：190.82 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
PHP29N08T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. • High noise immunity due to high gate threshold voltage\n• Low conduction losses due to low on-state resistance;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TO-220AB
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
75
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
27
Q_GD [typ] (nC)：
9
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
19
P_tot [max] (W)：
88
Q_r [typ] (nC)：
65
V_GSth [typ] (V)：
4
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
810
C_oss [typ] (pF)：
140
Date：
2010-09-02

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更多PHP29N08T供应商更新时间2026-1-18 11:16:00

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