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PHP28NQ15T	文件：304.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor ·DESCRIPTION ·Drain Current ID= 28A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 150V(Min) ·Fast Switching Speed ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·General purpose power amplifier 文件：304.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHP28NQ15T	文件：776.28 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits I 文件：776.28 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PHP28NQ15T	文件：225.7 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：225.7 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PHP28NQ15T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. • Increased efficiency during switching due to low body diode recovered charge\n• Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics;	Nexperia 安世	Nexperia
PHP28NQ15T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET	恩XP	恩XP

技术参数

Package name：
TO-220AB
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
150
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
65
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
28.5
Q_GD [typ] (nC)：
7.5
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
24
P_tot [max] (W)：
150
Q_r [typ] (nC)：
170
V_GSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
1250
C_oss [typ] (pF)：
185
Date：
2010-09-02

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更多PHP28NQ15T供应商更新时间2025-12-15 20:18:00

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