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PHM25NQ10T	文件：284.21 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS standard level FET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Features ■SOT96(SO-8)footprintcompatible ■Lowthermalresistance ■Surfacemountedpackage ■Lowprofile. Applications ■DC-to-DCprimaryside ■Portableequipmentappl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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PHM25NQ10T

文件：284.21 Kbytes

Page：13 Pages

TrenchMOS standard level FET

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Features ■SOT96(SO-8)footprintcompatible ■Lowthermalresistance ■Surfacemountedpackage ■Lowprofile. Applications ■DC-to-DCprimaryside ■Portableequipmentappl

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

详细参数

型号：
PHM25NQ10T
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PHM25NQ10T供应商更新时间2025-7-18 16:36:00

详细参数

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