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|---|---|---|---|---|
PHM25NQ10T | TrenchMOS standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Features ■ SOT96 (SO-8) footprint compatible ■ Low thermal resistance ■ Surface mounted package ■ Low profile. Applications ■ DC-to-DC primary side ■ Portable equipment appl 文件：284.21 Kbytes 页数：13 Pages | PHI PHI | PHI | |
PHM25NQ10T | TrenchMOS standard level FET | 恩XP | 恩XP | |
con | NEXPERIA | |||
N/A | JST | |||
CONN | JST/日压 上传：深圳市艾泽电子有限公司 | JST/日压 |
详细参数
- 型号：
PHM25NQ10T
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
25+ |
SOT685-1 |
2546 |
现货 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
QFN12 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
PHI |
2022+ |
SOT685-1 |
2546 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
QFN12 |
128549 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
PHI |
22+ |
QFN12 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
PHI |
05+ |
SOT685-1 |
2546 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
PHI |
2023+ |
SOT685-1 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
PHI |
20+ |
SOT685-1 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
PHI |
2450+ |
QFN12 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
NA |
45000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 |
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更新时间2026-2-4 10:12:00
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- PHMB600A6
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- PHN.0F.305.XLM
- PHN.0M.304.XLMT
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