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PHM18NQ15T	文件：91.13 Kbytes Page：12 Pages	TrenchMOS standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Features ■ SOT96 (SO-8) footprint compatible ■ Low thermal resistance ■ Surface mounted package ■ Low profile. Applications ■ DC-to-DC converter primary side switch ■ Portabl 文件：91.13 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHM18NQ15T	文件：300 bytes Page：1 Pages	TrenchMOS standard level FET	恩XP 恩智浦	恩XP
PHPT60603NYX	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA con	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司上传：北京天阳诚业科贸有限公司	NEXPERIA
PHR-10	文件：0 bytes Page：0 Pages	JST N/A	JST JST集团上传：深圳市云泰半导体科技有限公司二部	JST
PHR-10	文件：0 bytes Page：0 Pages	JST/日压 CONN	JST/日压上传：深圳市艾泽电子有限公司	JST/日压

详细参数

型号：
PHM18NQ15T
功能描述：
MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
TrenchMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市胜彬电子有限公司	PHM18NQ15T	PHI	22+	BGA	3000	原装正品,支持实单	询价
深圳市易讯博科技有限公司	PHM18NQ15T,518	恩XP	22+	NA	45000	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	PHM18NQ15T518	恩XP	22+	8VDFN	9000	原厂渠道,现货配单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	PHM18NQ15T518	恩XP	23+	8VDFN	9000	原装正品，支持实单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	PHM18NQ15T,518	恩XP	2022+	8-VDFN 裸露焊盘	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	PHM18NQ15T518	恩XP	23+	8VDFN	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	PHM18NQ15T518	恩XP	23+	8VDFN	7000		询价
深圳市南科功率半导体有限公司	PHM18NQ15T,518	NK/南科功率	2025+	DFN5X6	986966	国产	询价
深圳市安罗世纪电子有限公司	PHM199010	M/A-COM	2023+	SMD	2770	安罗世纪电子只做原装正品货	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	PHM1990-15	M/A-COM	24+		314	现货供应	询价

更多PHM18NQ15T供应商更新时间2025-10-5 15:10:00

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