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|---|---|---|---|---|
PHM18NQ15T | TrenchMOS standard level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Features ■ SOT96 (SO-8) footprint compatible ■ Low thermal resistance ■ Surface mounted package ■ Low profile. Applications ■ DC-to-DC converter primary side switch ■ Portabl 文件:91.13 Kbytes 页数:12 Pages | PHI PHI | PHI | |
PHM18NQ15T | TrenchMOS standard level FET | 恩XP | 恩XP | |
con | NEXPERIA | |||
N/A | JST | |||
CONN | JST/日压 上传:深圳市艾泽电子有限公司 | JST/日压 |
详细参数
- 型号:
PHM18NQ15T
- 功能描述:
MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
TrenchMOS™
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
22+ |
BGA |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
NA |
45000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
8VDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
恩XP |
2022+ |
8-VDFN 裸露焊盘 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
8VDFN |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
8VDFN |
7000 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5X6 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
M/A-COM |
2023+ |
SMD |
2770 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
M/A-COM |
24+ |
314 |
现货供应 |
询价 | |||
M/A-COM |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
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