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PHM18NQ15T

TrenchMOS standard level FET

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Features ■SOT96(SO-8)footprintcompatible ■Lowthermalresistance ■Surfacemountedpackage ■Lowprofile. Applications ■DC-to-DCconverterprimarysideswitch ■Portabl

PHIPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHI

详细参数

  • 型号:

    PHM18NQ15T

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 150V 19A SOT685-1

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    TrenchMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
PHI
22+
BGA
3000
原装正品,支持实单
询价
恩XP
22+
NA
45000
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询价
恩XP
22+
8VDFN
9000
原厂渠道,现货配单
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恩XP
23+
8VDFN
9000
原装正品,支持实单
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2022+
8-VDFN 裸露焊盘
38550
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8VDFN
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8VDFN
7000
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DFN5X6
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更多PHM18NQ15T供应商 更新时间2025-7-29 16:42:00