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PHK4NQ20T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.	Nexperia 安世	Nexperia
PHK4NQ20T	文件：233.84 Kbytes Page：12 Pages	TrenchMOS standard level FET 文件：233.84 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHK4NQ20T	文件：300 bytes Page：1 Pages	TrenchMOS standard level FET	恩XP 恩智浦	恩XP
PHPT60603NYX	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA con	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司上传：北京天阳诚业科贸有限公司	NEXPERIA
PHR-10	文件：0 bytes Page：0 Pages	JST N/A	JST JST集团上传：深圳市云泰半导体科技有限公司二部	JST

详细参数

型号：
PHK4NQ20T
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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