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PHD97NQ03LT	文件：678.24 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Fast	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHD97NQ03LT	文件：300 bytes Page：1 Pages	PHD97NQ03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET ; ·Fast switching\n·Lead-free packing\n·Logic level threshold\n·Low on-state resistance\n·Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics\n; N-channel TrenchMOS logic level FET - Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia
PHU97NQ03LT	文件：310 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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N-channel TrenchMOS logic level FET

1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Fast

安世安世半导体(中国)有限公司

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PHD97NQ03LT

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PHD97NQ03LT - N-channel TrenchMOS logic level FET ; ·Fast switching\n·Lead-free packing\n·Logic level threshold\n·Low on-state resistance\n·Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics\n;

N-channel TrenchMOS logic level FET - Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

安世安世半导体(中国)有限公司

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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技术参数

Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
25
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
6.3
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
10.6
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
75
Q_GD [typ] (nC)：
1.9
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
11.7
P_tot [max] (W)：
107
Q_r [typ] (nC)：
14
V_GSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
1570
C_oss [typ] (pF)：
380
Date：
2010-09-02

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