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PHD66NQ03LT	文件：301.04 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP66NQ03LTinSOT78(TO-220AB) PHB66NQ03LTinSOT404(D2-PAK) PHD66NQ03LTinSOT428(D-PAK) Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD66NQ03LT	文件：299.67 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=66A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP66NQ03LT	文件：301.04 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOStransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHP66NQ03LTinSOT78(TO-220AB) PHB66NQ03LTinSOT404(D2-PAK) PHD66NQ03LTinSOT428(D-PAK) Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP66NQ03LT	文件：372.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=66A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHU66NQ03LT	文件：309.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=66A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=10.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHU66NQ03LT	文件：959.99 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
PHD66NQ03L
功能描述：
两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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