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深圳市河锋鑫科技有限公司

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PHD66NQ03LT

恩XPSOT428TO-252

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谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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PHD66NQ03LT

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NEXPERIA/安世TO-252

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深圳市勤思达科技有限公司

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深圳市华来深电子有限公司

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深圳市拓亿芯电子有限公司

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PHD66NQ03LT

PHITO-252

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深圳市晨豪科技有限公司

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PHD66NQ03L

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当天发货全新原装现货

贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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PHD66NQ03LT,118

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深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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PHD66NQ03LT

PHI

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深圳市润联芯城科技有限公司

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PHD66NQ03LT

恩XPTO-252

12500

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原装正品支持实单

深圳市纳艾斯科技有限公司

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PHD66NQ03LT+118

PHITO-252

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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

艾睿（深圳）半导体有限公司

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PHD66NQ03LT

恩XPTO-252

100500

2447

一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

深圳市安富世纪电子有限公司

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PHD66NQ03LT

恩XPTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC

8000

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只做原装现货

深圳市威尔健半导体有限公司

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PHD66NQ03LTMOS(场效应管)

恩XPTO-252

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深圳市莱克讯科技有限公司

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PHD66NQ03LT

原装SOT-428

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深圳市威尔健半导体有限公司

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PHD66NQ03LTMOS(场效应管)

恩XPTO-252

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深圳市华斯顿科技有限公司

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PHD66NQ03LT+118

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深圳市创新迹电子有限公司

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PHD66NQ03LT+118

PHITO-252

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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PHD66NQ03LT

恩XPTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC

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深圳市恒达亿科技有限公司

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PHD66NQ03LT /T3功能描述:两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

PHD66NQ03LT,118功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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