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PHB38N02LT	文件：345.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB38N02LT	文件：252.6 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOSlogiclevelFET Description N-channellogiclevelfield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Productavailability: PHB38N02LTinSOT404(D2-PAK) PHD38N02LTinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■2.5Vgatedrive. Applications ■Linearregulatorfor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD38N02LT	文件：299.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD38N02LT	文件：206.38 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology. 1.2Features 1.3Applications nLinearregulatorforDouble-DataRate(DDR)memory nLowon-stateresistancen2.5Vgatedrive	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHD38N02LT	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD38N02LT	文件：91.34 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PHD38N02LT	文件：252.6 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOSlogiclevelFET Description N-channellogiclevelfield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Productavailability: PHB38N02LTinSOT404(D2-PAK) PHD38N02LTinSOT428(D-PAK). Features ■Lowon-stateresistance ■2.5Vgatedrive. Applications ■Linearregulatorfor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP38N02LT	文件：372.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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