PHD3055E中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
PHD3055E规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.
FEATURES
• ’Trench’technology
• Low on-state resistance
• Fast switching
产品属性
- 型号：
PHD3055E
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
TO252 |
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