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PHD3055E中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

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厂商型号

PHD3055E

功能描述

N-channel TrenchMOS transistor

文件大小

103.08 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2026-1-29 15:18:00

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PHD3055E规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.

FEATURES

• ’Trench’technology

• Low on-state resistance

• Fast switching

产品属性

  • 型号:

    PHD3055E

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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