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PHB96NQ03LT	文件：344.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB96NQ03LT	文件：293.21 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■Lowgatecharge ■Lowon-stateresistance. Applications ■OptimizedasacontrolFETinDCtoDCconverters.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD96NQ03LT	文件：218.01 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ●Lowconductio	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PHD96NQ03LT	文件：293.21 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■Lowgatecharge ■Lowon-stateresistance. Applications ■OptimizedasacontrolFETinDCtoDCconverters.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD96NQ03LT	文件：298.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD96NQ03LT	文件：331.74 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHP96NQ03LT	文件：371.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP96NQ03LT	文件：293.21 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channellogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■Lowgatecharge ■Lowon-stateresistance. Applications ■OptimizedasacontrolFETinDCtoDCconverters.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市宏兴瑞科技有限公司	PHB96NQ03LTMOS(场效应管)	PHILIPS/飞利浦	24+	SOT263	60000	全新原装现货	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	PHB98N03L	PHILIPS	1923+	TO-252	10000	只做原装特价	询价
深圳市一线半导体有限公司	PHB98N03LT		24+		3000	公司存货	询价
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深圳市利加科技有限公司	PHB98N03LT	NXP	16+	NA	8800	诚信经营	询价
深圳市博浩通科技有限公司	PHB98N03LT	PHI	23+	TO-263	8890	价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询	询价
上海鑫科润电子科技有限公司	PHB98N03LT	PHI	02+		81	原装现货海量库存欢迎咨询	询价
深圳市华来深电子有限公司	PHB98N03LT	NXP	23+	TO-263	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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更多PHB96NQ03LT-LF供应商更新时间2025-5-21 9:48:00

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