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PHB45NQ10T中文资料安世数据手册PDF规格书

PHB45NQ10T
厂商型号

PHB45NQ10T

功能描述

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件大小

865.31 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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PHB45NQ10T规格书详情

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

 Higher operating power due to low

thermal resistance

 Low conduction losses due to low

on-state resistance

 Suitable for high frequency

applications due to fast switching

characteristics

1.3 Applications

 DC-to-DC convertors  Switched-mode power supplies

产品属性

  • 型号:

    PHB45NQ10T

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH-100

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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