订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>PHB45NQ10T>芯片详情
PHB45NQ10T_NEXPERIA/安世_MOSFET TRENCH-100赛能新源
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
PHB45NQ10T
- 功能描述:
MOSFET TRENCH-100
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市赛能新源半导体有限公司
- 商铺:
- 联系人:
朱桦
- 手机:
13510673492
- 询价:
- 电话:
13510673492
- 地址:
福田区华强北街道华航社区振兴路华康大院2栋518
相近型号
- PHB45NQ15T,118
- PHB45N03LT
- PHB45NQ15T118
- PHB45N03LH
- PHB45NQ15T-VB
- PHB45N03L
- PHB45N03
- PHB44N06T
- PHB47NQ10T
- PHB47NQ10T,118
- PHB44N06LT
- PHB47NQ10T+118
- PHB42V4B15G
- PHB47NQ10T118
- PHB42N03T
- PHB42N03LT
- PHB-4A
- PHB42N03
- PHB41N03LT
- PHB-4AW
- PHB40V4B15
- PHB4N40E
- PHB400VU0
- PHB4N60E
- PHB3N60E
- PHB4ND40E
- PHB3N50E
- PHB3N40E
- PHB4UEESN1A
- PHB-3AW
- PHB4UEESN1ANS
- PHB4UEETS1A
- PHB-3A
- PHB4UEETS1ANS
- PHB38N02LT,118
- PHB4UOASN1A
- PHB38N02LT
- PHB4UOASN1ANS
- PHB37N06T
- PHB4UOATS1A
- PHB4UOATS1ANS
- PHB37N06LT
- PHB506
- PHB36N06ET
- PHB50N03
- PHB36N06E
- PHB50N03LT
- PHB34NQ10T.118
- PHB34NQ10T
- PHB50N03T