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PHB193NQ06T	文件：344.79 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：344.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHB193NQ06T	文件：92.76 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：92.76 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHB193NQ06T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET	恩XP 恩智浦	恩XP
PHP193NQ06T	文件：371.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：371.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PHP193NQ06T	文件：92.76 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：92.76 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI

更多PHB193NQ06T供应商更新时间2025-10-5 10:02:00