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PHB110NQ08T	文件：679.16 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits L	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHB110NQ08T	文件：89.77 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB110NQ08LT	文件：345.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB110NQ08LT	文件：91.26 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET Description LogiclevelN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackage usingTrenchMOS™technology. Features ■Logiclevelthreshold ■Verylowon-stateresistance. Applications ■Motors,lamps,solenoids ■Uninterruptiblepowersupplies ■DC	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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详细参数

型号：
PHB110NQ08T
功能描述：
MOSFET TRENCH-75
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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