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PHB110NQ06LT中文资料N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册恩XP规格书

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厂商型号

PHB110NQ06LT

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-10-1 15:01:00

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技术参数

  • 型号:

    PHB110NQ06LT

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH TRENCH 55V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
8000
只做原装现货
询价
恩XP
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
7000
询价
恩XP
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
恩XP
21+
TO-263
1574
询价
恩XP
20+
SOT404TO-263D2PAK
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
PHI
2023+
TO-263
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
NK/南科功率
2025+
TO-263-2
986966
国产
询价
TO-263
24+
606
60000
全新原装现货
询价
恩XP
24+
TO-263
118
询价
恩XP
24+
TO-263
5070
全新原装,价格优势,原厂原包
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