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PHB110NQ06LT数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

PHB110NQ06LT

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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技术参数

  • 型号:

    PHB110NQ06LT

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH TRENCH 55V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TO-263
24+
NA/
10750
原厂直销,现货供应,账期支持!
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TO-263
22+
606
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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恩XP
20+
SOT404TO-263D2PAK
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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恩XP
21+
TO-263
1574
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2022+
TO-263
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
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原厂渠道,现货配单
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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恩XP
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
7000
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