首页>PHB108NQ03LT>规格书详情
PHB108NQ03LT中文资料N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册Nexperia规格书
PHB108NQ03LT规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
PHB108NQ03LT
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
1269 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
标准封装 |
12048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
TO263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
PHI |
2450+ |
TO-263 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
PHI |
25+ |
TO263 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
恩XP |
07+;06+ |
TO-263 |
4800 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
PHI |
2025+ |
SOT-263 |
3685 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
PHI |
06+ |
TO-263 |
3200 |
询价 |
