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PHB101NQ04T_NOVOSENSE/纳芯微电子_MOSFET N-CH TRENCH 40V纳艾斯
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:PHB101NQ04T品牌:N
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
- 芯片型号:
PHB101NQ04T
- 规格书:
- 内容页数:
12 页
- 文件大小:
186.47 kb
- 资料说明:
N-channel TrenchMOS standard level FET
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
PHB101NQ04T
- 功能描述:
MOSFET N-CH TRENCH 40V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
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