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BC69-16PA	文件：1.11315 Mbytes Page：24 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC69-16PAS	文件：1.02286 Mbytes Page：16 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC69-16PAS	文件：3.55399 Mbytes Page：15 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcollectorcurrentcapability ICandICM Threecurrentgainselections ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB) arearequirements LeadlessverysmallSMDplastic packagewithmediumpowercapability *Exposedheatsinkforexcellentthermal andelectricalcond	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP69-16	文件：45.28 Kbytes Page：8 Pages	PNPmediumpowertransistor DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaSOT223plasticpackage.NPNcomplement:BCP68. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.20V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Powerapplicationssuchasaudiooutputstages.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCP69-16	文件：1.11315 Mbytes Page：24 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP69-16	文件：43.8 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP68(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCP69-16	文件：460.76 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BCP69-16	文件：136.39 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconAFTransistor(ForgeneralAFapplicationHighcollectorcurrentHighcurrentgain) PNPSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP68(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCP69-16-Q	文件：261.45 Kbytes Page：13 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors 1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorsinaSOT223(SC-73)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinau	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX69-16	文件：533.37 Kbytes Page：7 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytype:BCX68(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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