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技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    79A(Tc)

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    6 毫欧 @ 15A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2.15V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    24nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    1425pF @ 12V

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 供应商器件封装:

    LFPAK56,Power-SO8

  • 封装/外壳:

    SC-100,SOT-669

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Nexperia
25+
LFPAK56,Power-SO8
8577
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恩XP
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NA
45000
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Nexperia USA Inc.
2022+
SC-100,SOT-669
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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Nexperia
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LFPAK56,Power-SO8
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恩XP
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SOT669
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SOT669
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SC100 SOT669
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23+
SC100 SOT669
8000
只做原装现货
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恩XP
23+
SC100 SOT669
7000
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恩XP
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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更多PH6030AL,115供应商 更新时间2026-2-9 9:38:00