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PH5030AL,115

MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK

Nexperia

安世

PL5030GP

Polyimide Passivated Auto Rectifier

文件:641.19 Kbytes 页数:2 Pages

YENYO

元耀科技

PL5030GP

Polyimide Passivated Auto Rectifier

文件:631.87 Kbytes 页数:2 Pages

YENYO

元耀科技

PL5030JP

Polyimide Passivated Auto Rectifier

文件:636.17 Kbytes 页数:2 Pages

YENYO

元耀科技

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    91A(Tc)

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    5 毫欧 @ 15A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2.15V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    29nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    1760pF @ 12V

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 供应商器件封装:

    LFPAK56,Power-SO8

  • 封装/外壳:

    SC-100,SOT-669

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Nexperia
25+
LFPAK56,Power-SO8
7786
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JINGDAO/晶导微
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SMA(DO-214AC)
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恩XP
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NA
45000
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Nexperia USA Inc.
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SC-100,SOT-669
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恩XP
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LFPAK
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Nexperia
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LFPAK56,Power-SO8
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恩XP
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SOT-669
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SC100 SOT669
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恩XP
2023+
LFPAK
8800
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更多PH5030AL供应商 更新时间2026-4-24 10:48:00