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PH503

PIN PHOTO DIODE BUILT IN I-V AMPLIFIER DETECTOR FOR CD, OPTICAL DISC MEMORY

文件:113.21 Kbytes 页数:5 Pages

NEC

瑞萨

PH503

PIN PHOTO DIODE BUILT IN I-V AMPLIFIER DETECTOR FOR CD, OPTICAL DISC MEMORY

Renesas

瑞萨

PH5030AL,115

MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK

Nexperia

安世

PM503BA

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:249.25 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

PM503BA

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:771.63 Kbytes 页数:8 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

PRB503

PRESS FIT AUTOMOTIVE RECTIFIER竊뉰OSCH竊

文件:45.65 Kbytes 页数:2 Pages

MIC

昌福电子

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    91A(Tc)

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    5 毫欧 @ 15A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2.15V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    29nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    1760pF @ 12V

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 供应商器件封装:

    LFPAK56,Power-SO8

  • 封装/外壳:

    SC-100,SOT-669

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
恩XP
17+
SOT669
6200
100%原装正品现货
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恩XP
25+
SOT-669
4420
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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LFPAK
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SOT669
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SOT-669
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LFPAK
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更多PH503供应商 更新时间2025-12-24 16:00:00